Design strategies for ultra-low power 10 nm FinFETs

نویسندگان
چکیده

برای دانلود باید عضویت طلایی داشته باشید

برای دانلود متن کامل این مقاله و بیش از 32 میلیون مقاله دیگر ابتدا ثبت نام کنید

اگر عضو سایت هستید لطفا وارد حساب کاربری خود شوید

منابع مشابه

Design Strategies for Ultra-Low Voltage Circuits

Energy efficiency is an emerging metric for the quality of integrated circuit designs. Applications ranging from wireless sensor networks to RFID tags to embedded microprocessors require extremely low power consumption to maintain good battery life. We advocate the use of aggressively scaled supply voltages in such applications to maximize energy efficiency. This paper reviews our recent progre...

متن کامل

Straightforward Methodology for Ultra Low Power Design of a RF LNA in 130 nm CMOS technology

This paper describes a straightforward methodology for ultra low power design of a radiofrequency building block in CMOS technology. This design methodology is based on two parameters: First, the inversion coefficient of the transistor and the extracted equations from the radiofrequency circuits. Second, an optimum tradeoff between the performance key parameters such power consumption, gain, no...

متن کامل

‏‎design of an analog ram (aram)chip with 10-bit resolution and low-power for signal processing in 0/5m cmos process‎‏

برای پردازش سیگنال آنالوگ در شبکه های عصبی ، معمولا نیاز به یک واحد حافظه آنالوگ احساس میشود که بدون احتیاج به ‏‎a/d‎‏ و‏‎d/a‎‏ بتواند بطور قابل انعطاف و مطمئن اطلاعات آنالوگ را در خود ذخیره کند. این واحد حافظه باید دارای دقت کافی ، سرعت بالا ، توان تلفاتی کم و سایز کوچک باشد و همچنین اطلاعات را برای زمان کافی در خود نگهدارد. برای پیاده سازی سیستمی که همه این قابلیتها را در خود داشته باشد، کوشش...

15 صفحه اول

The Design Aspects for Ultra Low-Power, Low-Noise 90 nm CMOS Charge Sensitive Amplifier for the Active Pixel Detector

A falling particle in the digital registration systems for elementary particles active pixel detector induces electric charge, the value of which describes the parameters of the particle in the detector. Since the electric charge induced by a single particle is relatively weak, the detector signal is first processed (amplified and shaped) right in the zone of irradiation and only then transmitt...

متن کامل

Design of Two Stage Ultra Low Power CMOS Operational Transconductance Amplifier (OTA) Using 180 nm Technology

This paper deals with well-defined design criteria for ultra low power two stage CMOS operational transconductance amplifiers (OTAs) with simple yet robust implementation in nm dimension. A simple design approach which allows electrical parameters to be univocally related to each circuit element and biasing values for low frequency applications is presented.The operational transconductance ampl...

متن کامل

ذخیره در منابع من


  با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید

ژورنال

عنوان ژورنال: Solid-State Electronics

سال: 2017

ISSN: 0038-1101

DOI: 10.1016/j.sse.2017.06.012